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　　氮化鎵(GaN)技術(shù)已經(jīng)在影響高性能的射頻市場，但MACOM公司認(rèn)為這只是開始。該公司所處地位獨特，致力于向用戶提供采用包括GaAs、InP、SiGe、SiPh、GaN和CMOS在內(nèi)的大多數(shù)工藝技術(shù)制造的產(chǎn)品。

　　氮化鎵本身有兩種主要類型，一種是作為很高功率應(yīng)用理想之選的GaN on SiC，一種是能夠增大晶圓直徑、批量時驅(qū)動成本下降的硅基氮化鎵(GaN on Si)，后者能充分利用CMOS提供的傳統(tǒng)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)。MACOM公司希望氮化鎵能夠涉足所有的射頻功能和應(yīng)用。

　　作為射頻和微波應(yīng)用中的一種寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵具有高功率密度、高效率和高散熱屬性，因此正成為主流商業(yè)應(yīng)用的重要選擇。硅基氮化鎵可以提供8倍的GaAs原始功率密度和4倍的LDMOS原始功率密度，效率范圍從中檔的40%到70%。

　　氮化鎵的市場潛力是非常巨大的，這種工藝技術(shù)最終有望主導(dǎo)高性能的射頻與微波市場。氮化鎵的性能優(yōu)勢包括5倍于現(xiàn)有產(chǎn)品的帶寬和2倍于現(xiàn)有產(chǎn)品的效率。

　　另外，氮化鎵能夠滿足所有模擬功能和應(yīng)用的要求。

　　GaN on Sic和硅基氮化鎵的比較

　　事實上在物理層，SiC材料的生成速度要比硅慢200倍到300倍。這樣，生產(chǎn)基板的成本將正比于生產(chǎn)時間?；谶@個理由，GaN on SiC對主流商業(yè)應(yīng)用來說仍然過于昂貴。不過它比較適用于軍事、國防以及要求相對高功率的潛在高端通信領(lǐng)域中的特殊應(yīng)用。

　　硅基氮化鎵在能夠降低成本的同時仍能受益于高功率密度和效率。另外，硅基氮化鎵能順應(yīng)硅的發(fā)展路線圖——有望最終適應(yīng)裸片上與之一起存在的大量CMOS。

　　硅基氮化鎵技術(shù)將受到電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的驅(qū)動，而這類應(yīng)用所需的產(chǎn)品數(shù)量要比射頻和微波大好幾個量級。

　　MACOM公司總裁John Croteau認(rèn)為，“確切地說，服務(wù)于電源轉(zhuǎn)換市場的單個8英寸硅片工廠在幾周時間內(nèi)就能提供整個射頻和微波行業(yè)使用一整年的產(chǎn)量?！?