GaN功率器件知識產權動態預示未來市場迎來爆發期
發布時間：2015/10/26 訪問人數：978次
OFweek電子工程網訊 據悉，目前銷售GaN功率器件的主要企業僅有英飛凌、國際整流器（International Rectifier，簡稱IR）、EPC、GaN System和Transphorm等少數的幾家公司，市場還比較小。法國市場調研公司Yole Développement《GaN與SiC器件電力電子技術與應用》報告顯示，2015年GaN功率器件市場收入為1000萬美元。然而，采用GaN功率半導體器件產生的潛在能效節約已引起重大的研究和開發，正開始實現可利用器件的商業化。市場調研公司預計從2016年開始GaN功率器件市場將以93%的復合年增長率（CAGR）飆升至2020年的3億美元。
秉承為顯著增長做準備，GaN功率行業正在整合，GaN技術在整個價值鏈上蔓延。這可以從最近的企業并購中看出來，如英飛凌和國際整流器、Transphorm和富士通（Fujitsu）GaN功率轉換業務、英飛凌與松下以及Transphorm與古河電工（Furukawa）的許可協議，Transphorm和富士通等幾家公司愿意轉向批量生產階段。
Yole表示，隨著GaN功率器件正迅速搶占市場，強有力的知識產權（IP）對公司GaN業務增長至關重要。在當今的GaN市場，理解全球專利前景、幫助公司預見變化和收獲業務機會、降低風險和做出戰略決策來加強市場地位和實現知識產權組合回報最大化也顯得至關重要。
龍頭企業與知識產權新挑戰
Yole估計GaN功率知識產權包含200多個專利申請者。大多數的硅功率領先企業出現在專利申請者名單的頂部，如國際整流器、英飛凌、松下、古河電工、住友電氣（Sumitomo Electric）、富士通、三菱電機（Mitsubishi Electric）、東芝、夏普、富士電機（Fuji Electric）、羅姆（Rohm）和美國電源集成公司（Power Integrations）等。Yole指出這體現了功率企業對GaN業務的極大興趣。目前，只有國際整流器和英飛凌實現了GaN器件的商業化，知識產權意識的加強會導致其他傳統的功率企業擾亂和重塑市場，市場研究公司說道。
我們可以完全推定國際整流器擁有最好的GaN功率專利組合，并且國際整流器與英飛凌的結合將建立更強大的知識產權，確保其在GaN功率市場增長中保持領先地位。誠然，這種知識產權領導地位在未來將會變化，因為新的企業如Transphorm、富士通、三菱電機等正逐漸成為中堅力量，可能會重塑GaN專利景觀，Yole補充道。
Transphorm是GaN領域知識產權最重要的挑戰者，優先于EPC和GaN Systems等其他初創公司。其專利組合，以及與古河電工、富士通和安森美半導體的合作伙伴關系已更好地促使其成為GaN器件市場龍頭企業。古河電工擁有充足的重要組織潛力的知識產權組合，但該公司尚未實現該技術的商業化。通過對Transphorm的GaN專利組合獨家特許授權，古河電工找到了將其技術投放市場的戰略伙伴。
早在2010年富士通和三菱電機就對GaN功率技術表現出濃厚的興趣，其最近三年的專利活動的增長，預示著未來可觀的知識產權組合。
專利技術和知識產權戰略
市場調研公司Yole對1960年以后的專利發明已經按照技術領域進行了手動分類。現有的GaN功率知識產權覆蓋整個價值鏈，如外延片、功率半導體器件、離散組件、功率模塊、封裝、電路和系統等。專利的數據被整合入各種技術挑戰，如E體化、共源共柵、E/D體化單片集成、垂直器件、電流崩塌、動態羅恩（Ron）、柵極電荷、擊穿電壓、雜散電感、散熱問題和芯片級封裝等。GaN外延基體類型包括SiC、硅、松厚度和藍寶石等，重點關注功率半導體（晶體管和二極管半導體層面）以及功率組件（離散組件、功率模塊和封裝）等。
Yole表示GaN功率器件知識產權尚處在公司協商許可和供應協議階段，如英飛凌與松下，以及Transphorm和古河電工等。到目前為止，還沒有GaN功率領域的起訴案件申請，但是預計隨著市場的擴張會有所改變。（本文為OFweek原創，編譯Silvia）
