无码gogo大胆啪啪艺术-无码少妇精品一区二区免费-色六月婷婷亚洲婷婷六月-久久天堂综合亚洲伊人hd妓女-婷婷色香五月综合缴缴情

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用高度0.357mm的芯片級(jí)MICRO FOOT 0.8mm x 0.8mm封裝的TrenchFET 20V N溝道MOSFET---Si8824EDB。Vishay SilicoNIx Si8824EDB是20V MOSFET中導(dǎo)通電阻最低的器件，尺寸為1mm2或不到0.7mm2，在智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器，以及助聽器等便攜式醫(yī)療設(shè)備中能夠節(jié)省空間，降低功耗，并延長電池使用時(shí)間。

　　Si8824EDB適用于電源管理應(yīng)用里的負(fù)載開關(guān)、小信號(hào)開關(guān)和高速開關(guān)，具有極低的導(dǎo)通電阻，在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的導(dǎo)通電阻分別為75mΩ、82mΩ、90mΩ、125mΩ和175mΩ，比采用相同CSP封裝的最接近的20V MOSFET最多低25%，比最接近的采用DFN 1mm x 0.6mm的20V器件最多低60%。MOSFET的VDS為20V，具有ESD保護(hù)功能，能在1.2V下啟動(dòng)，加上低導(dǎo)通電阻，使這顆器件同時(shí)具有安全裕量大、柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)更靈活、高性能的優(yōu)點(diǎn)，可用于鋰離子電池供電的應(yīng)用。

　　Si8824EDB的導(dǎo)通電阻與面積乘積極低，只有40mΩ-mm2，比DFN 1mm2封裝的最接近的20V MOSFET低28%，在移動(dòng)應(yīng)用里能夠節(jié)省空間，并降低電池功耗。器件的低導(dǎo)通電阻意味著器件在直流或脈沖峰值電流下的電壓降非常低，以熱的形式浪費(fèi)的電能更少。MOSFET集成了ESD保護(hù)功能，保護(hù)電壓達(dá)2000V，能夠避免在加工或與人體接觸過程中發(fā)生靜電破壞。